紫外光刻儀是一種用于材料科學領域的工藝試驗儀器，用于將涂有光刻膠的晶片與掩膜的對準，然后曝光，將掩膜的圖形轉(zhuǎn)移到晶片的光刻膠上，用于納米器件的微加工。

　　紫外光刻主要功能：

　　采用紫外光源，實現(xiàn)光刻膠的曝光，將光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上，在光刻膠上制作出亞微米（＞0.8um）圖形結(jié)構(gòu)。紫外光刻系統(tǒng)是目前實驗室光刻技術(shù)中最為常用和重要的光刻設備。

　　紫外(UV)光刻和直接書寫的方法，其中曝光模式和劑量都是由互補金屬氧化物半導體(CMOS)控制的微像素化發(fā)光二極管陣列決定的。來自演示器8x8氮化鎵微像素LED的370nm紫外光使用兩個背對背顯微鏡物鏡投射到光刻膠覆蓋的基底上，允許控制去除。在目前的設置中，該系統(tǒng)能夠在直徑為~8?m的圓形點中為每個成像像素提供高達8.8W/cm2。我們展示了用正光刻膠和負光刻膠書寫的示例結(jié)構(gòu)。

　　光刻技術(shù)是微圖案化的方法， 按照最近報道的方法設計了CMOS控制裝置，使交替像素可操作，從而得到了一個發(fā)光的8x8陣列[圖]1(a)]。這是由于凹凸鍵合過程，目前限制了像素到像素間距為~200?m。

　　紫外光刻機的主要核心部件主要分為兩個部分：分別是對準系統(tǒng)和紫外光源。

　　目前對準系統(tǒng)主要有兩大難題，精密的機械工藝和對準顯微鏡系統(tǒng)。精密的機械工藝目前只有美國，而對準顯微鏡系統(tǒng)其實就是鏡片，在這方面我國一直處于落后的狀態(tài)。

　　關于紫外光源，光刻機對光源的要求十分高，一是要有適當?shù)牟ㄩL，二是光要有足夠的能量，三是光能量且必須要均勻的分布在曝光區(qū)。